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導(dǎo)入TSV制程技術(shù) 模擬芯片邁向3D堆疊架構(gòu)
- 類比積體電路設(shè)計也將進入三維晶片(3D IC)時代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后，類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線，期透過矽穿孔(TSV)與立體堆疊技術(shù)，在單一封裝內(nèi)整合采用不同制程生產(chǎn)的異質(zhì)類比元件，以提升包括電源晶片、感測器與無線射頻(RF)等各種類比方案效能。 奧地利微電子執(zhí)行副總裁暨Full Service Foundry部門總經(jīng)理Thomas Riener認為，3D IC技術(shù)將擴大類比晶片市場商機。 奧地利微電子(AMS)執(zhí)行副總裁暨Full Service
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