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美國(guó)科銳在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額

• 　　制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品，6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來(lái)越少。 　　美國(guó)科銳(Cree)在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額，從該公司在SiC國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”(2013年9月29日～10月4日于日本宮崎縣舉行)上發(fā)表的內(nèi)容來(lái)看，截至2013年，功率元件用6英寸產(chǎn)品的微管密度在1個(gè)/cm2以下，平均水平為0.5個(gè)/cm2左右，較好時(shí)可達(dá)到0.01個(gè)/cm2。據(jù)估算，采
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