sram制造技術 文章 進入sram制造技術技術社區(qū)

瑞薩科技與松下開發(fā)可實現(xiàn)45nm工藝傳統(tǒng)CMOS穩(wěn)定工作的片上SRAM制造技術

• 　　瑞薩科技公司與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布共同開發(fā)出一種可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS*1的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩(wěn)定工作的技術，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統(tǒng)級芯片）器件和微處理器（MPU）當中。采用這種技術的512Kb SRAM的實驗芯片的測試已經(jīng)得到證實，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)的用于實驗的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲單元設計，一個元件面積僅有0.327μm
• 關鍵字： 45nm工藝  SRAM制造技術  傳統(tǒng)CMOS  單片機  嵌入式系統(tǒng)  瑞薩科技  松下開  存儲器