- 瑞薩科技公司與松下電器產業有限公司宣布共同開發出一種可以使45nm工藝傳統CMOS*1的SRAM（靜態隨機存取存儲器）穩定工作的技術，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統級芯片）器件和微處理器（MPU）當中。采用這種技術的512Kb SRAM的實驗芯片的測試已經得到證實，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩定工作，而且在工藝發生變化時具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產的用于實驗的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲單元設計，一個元件面積僅有0.327μm
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