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        聯電與Cypress攜手打造65納米SONOS閃存技術

        •   聯電與Cypress 27日宣布采用新的65納米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon;硅-氧-氮化硅-氧-硅)閃存技術,已成功產出有效硅芯片(working silicon),預計將于第3季正式問世;聯電不但會采用此新制程為Cypress生產次世代PSoC可編程系統單芯片、nvSRAM和其他產品,也可在Cypress授權協議下,將此技術提供其他公司使用。  
        • 關鍵字: 聯電  SONOS閃存  
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