- 中芯國際與Saifun半導體日前共同宣布，中芯國際將采用Saifun的NROM技術研發生產閃存存儲卡。 Saifun的NROM技術在非易失內存技術領域是一個突破。NROM技術將存儲能力提高到每個基本存儲單元四字節，是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此，NROM技術簡化了存儲單元的器件模型，減少了生產步驟，降低了生產成本。 “閃存存儲卡市場對于我們未來的發展而言是一個重要的驅動力，”中芯國際首席營運官Marco Mora表示，“在雙方簽署的第二份協議中，我們將Saifun先進的技術和中
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- 中芯國際集成電路制造有限公司（以下簡稱“中芯國際”，紐約交易所：SMI；香港聯交所：981）和SAIFUN半導體，為非易失內存技術（NVM）市場提供智能產權（IP）解決方案的供貨商，今天共同宣布中芯國際將采用SAIFUN的NROM技術研發生產閃存存儲卡。 SAIFUN的NROM技術在非易失內存技術領域是一個突破。NROM技術將存儲能力提高到每個基本存儲單元四字節，是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此，NROM技術簡化了存儲單元的器件模型，減少了生產步驟，降低了生產成本。 “中芯國際認為閃存存儲卡市場對于我
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- 非揮發性存儲技術及元件供應商Saifun Semiconductors宣布進一步擴展其高密度EEPROM產品系列的陣容，推出全新SA25C020 2Mb SPI EEPROM，是業界首個結合小型SO8封裝、低功耗和高性能特點的器件。Saifun的串行EEPROM產品專為需要高耐用性和低功耗的應用而設計和測試，針對持續可靠的非揮發性存儲方案。2M EEPROM推出的價位接近閃存 (Flash)，加上其節省空間的封裝形式，將有助于新應用的實現，如硬盤、光盤 (包括DVD)、機頂盒、打印機、游戲卡，以及無線產品
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