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愛(ài)普高電容密度硅電容S-SiCap? Gen3通過(guò)客戶驗(yàn)證
- 全球客制化存儲(chǔ)芯片解決方案設(shè)計(jì)公司愛(ài)普科技今日宣布，新一代硅電容(S-SiCap?, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過(guò)客戶驗(yàn)證，此產(chǎn)品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優(yōu)勢(shì)，可在先進(jìn)封裝制程中與系統(tǒng)單芯片(SoC)進(jìn)行彈性客制化整合，滿足客戶在高端手機(jī)及高性能計(jì)算(HPC)芯片的應(yīng)用需求。愛(ài)普科技的S-SiCap?使用先進(jìn)的堆棧式電容技術(shù)(Stack Capacitor)開(kāi)發(fā)，相比傳統(tǒng)深溝式電容技術(shù)(Deep Trench Capacitor)的電容密度
- 關(guān)鍵字： 愛(ài)普 高電容密度 硅電容 S-SiCap
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