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PMOS緩啟電路

• 本文來源于一個(gè)實(shí)際項(xiàng)目，需要由一個(gè)PMOS作為開關(guān)來控制電源的導(dǎo)通。但對(duì)實(shí)際參數(shù)進(jìn)行測量時(shí)，發(fā)現(xiàn)PMOS導(dǎo)通時(shí)間太短，使得后級(jí)電路的dV/dt太大，造成一些不好的影響，因此本文對(duì)如何延緩PMOS啟動(dòng)速度進(jìn)行簡單學(xué)習(xí)與概述性介紹。1 米勒平臺(tái)上圖所示為PMOS的等效模型，其柵極、源極與漏極相互之間都存在寄生電容，分別為CGD，CGS，CDS。MOS管的開啟時(shí)序如下圖所示：開啟過程如下：（1）T0-T1階段，G端輸出電平，CGS開始從0充電直至VGS(th)，漏極源極之間的電壓UDS與電路IDS保持不變，MO
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