- 摘要：本文研究了閃存循環(耐久性)與LPCVD(低壓化學氣相沉積)制程應變的相關性。所沉積的充當S/D植入物犧牲氧化層的12.5nm SCTEOS在后面的工序中會被去除。然而有趣的是，通過應力記憶技術(SMT)，我們發現對通道產生的應力會影響閃存循環(耐久性)性能
【關鍵詞：耐久性/循環、LPCVD TEOS、應力】
引言
2008年2月，有報道稱，嵌入式閃存UCP遇到擦除原始比特失敗率(RR)高于CLT(置信度檢測)S5循環
- 關鍵字：
LPCVD 機械應力
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