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        用IO模擬方式讀寫三星系列的NAND FLASH

        • 三星系列的NAND FLASH芯片容量從8MB到256MB(最近聽說有1G容量的了),對于需要大容量數據存儲的嵌入式系統是一個很好的選擇,尤其是其接近1MB/元的高性價比,更是普通nor flash無法比擬的。本文以K9F2808U0C為例,采用AVR芯片連接,進行了初步的讀寫試驗,完成了芯片的ID讀出功能。
        • 關鍵字: IO模擬方式  NANDFlash  
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