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	igbtmosfet器件隔離驅
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        igbtmosfet器件隔離驅 文章
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        常用IGBT及MOSFET器件隔離驅動技術匯總
        
                                                            
          
                    	
        • MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結構，直流電不能通過，因而低頻的表態驅動功率接近于零。但是柵極和源極之間構成了一個柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開通和需要關斷時...
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        IGBTMOSFET器件隔離驅                          
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	共1條
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        igbtmosfet器件隔離驅介紹
        
      			
        
		      	
        
		      			      			      	您好，目前還沒有人創建詞條igbtmosfet器件隔離驅!
         
		      	歡迎您創建該詞條，闡述對igbtmosfet器件隔離驅的理解，并與今后在此搜索igbtmosfet器件隔離驅的朋友們分享。    創建詞條
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		  		  		  		        		  		
        
    		
        
      			
        
        			
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