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        igbt軟開關損 文章 最新資訊

        IGBT軟開關在應用中的損耗

        • IGBT技術進步主要體現在兩個方面:通過采用和改進溝槽柵來優化垂直方向載流子濃度,以及利用“場終止”概念(也有稱為“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓n襯底的厚度。此外,帶有單片二極管的IGBT概念也經常被探討。首...
        • 關鍵字: IGBT軟開關損  
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