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IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗
- IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終止”概念（也有稱為“軟穿通”或“輕穿通”）降低晶圓n襯底的厚度。此外，帶有單片二極管的IGBT概念也經(jīng)常被探討。首...
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