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        gan緩沖層 文章 最新資訊

        MOCVD生長GaN基藍光LED外延片的研究

        • 一引言Ⅲ-V族氮化合物InN、GaN、AIN及其合金材料,其帶隙寬度從1.9eV至6.2eV,覆蓋了可見光及紫外光光譜的...
        • 關鍵字: 低溫生長  GaN緩沖層  外延片  藍光LED  
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        gan緩沖層介紹

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