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英飛凌發(fā)布《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測(cè)報(bào)告》

• 在全球持續(xù)面臨氣候變化和環(huán)境可持續(xù)發(fā)展挑戰(zhàn)之際，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：?IFNNY）一直站在創(chuàng)新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在內(nèi)的所有相關(guān)半導(dǎo)體材料大幅推動(dòng)低碳化和數(shù)字化領(lǐng)域的發(fā)展。CoolGaN英飛凌在其?《2025年GaN功率半導(dǎo)體預(yù)測(cè)報(bào)告》中強(qiáng)調(diào)，GaN將成為影響游戲規(guī)則的半導(dǎo)體材料，它將極大改變大眾在消費(fèi)、交通出行、住宅太陽(yáng)能、電信和AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提高能效和推進(jìn)低碳化的方式。GaN可為終端客戶的應(yīng)用帶來(lái)顯
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