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        科銳推出新型GaN RF MMIC工藝技術
        
                                                            
          
                    	
        • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出兩項新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50V的G50V3。新的工藝技術增加了工作電壓和無線射頻功率密度，與傳統(tǒng)技術相比，能夠?qū)崿F(xiàn)更小尺寸裸芯片和更緊湊、更高效率放大器。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        科銳  無線射頻  G50V3                          
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