- 世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布提供全新4-至 64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片，新產品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環、低功耗和無延遲(NoDelay? )寫入特性。
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Ramtron F-RAM存儲器
- 世界領先的低功耗鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現已在IBM的新生產線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產品的樣片。該新產品FM24C64C是65千位(Kb)、5V串口F-RAM器件，以總線速率運行且無寫入延遲，并支持高達1萬億次 (1e12)的讀/寫循環，這相比同等EEPROM器件高出100萬倍。FM24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100
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f-ram存儲器介紹
F-RAM存儲器
鐵電隨機存儲器（F-RAM），相對于其它類型的半導體技術而言，鐵電隨機存儲器（F-RAM）具有一些獨一無二的特性。已經確定的半導體存儲器可以分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲器包括靜態隨機存取存儲器（SRAM）和動態隨機存取存儲器（DRAM）以及其他類型存儲器。RAM類型存儲器易于使用，高性能，但它們有著共同的弱點：在掉電的情況下會失去所保存的數據。
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