- 東芝在荷蘭阿斯麥(ASML)公司于2010年11月18日在東京舉行的“ASML/Brion Computational Lithography Seminar 2010”會議上，展望了引進EUV(超紫外線)曝光技術進行量產的前景。東芝統管光刻技術開發的東木達彥表示“即將采用EUV曝光技術量產(NAND閃存)”。
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東芝 EUV曝光技術
- 面向超越22nm工藝的最尖端半導體而正在研發的新技術——采用13.5nm這一超短波長的新一代曝光技術EUV(extreme ultraviolet)即將展露鋒芒。由于EUV曝光技術實現了半導體的極小線寬，因而被稱為“終極的曝光技術”。另一方面，與現有的曝光技術相比，用于批量生產的技術壁壘非常高，所以至今為止仍無法擺脫“夢幻”技術的色彩。與以往的曝光技術相比，其技術壁壘之高主要體現在光源波長非常小上。
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半導體 EUV曝光技術
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