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        euv光刻技術 文章 進入euv光刻技術技術社區

        半導體工藝微細化遇阻

        •   半導體工藝技術在不斷進步。先行廠商已開始量產22/20nm工藝產品,而且還在開發旨在2~3年后量產的15nm技術。不過,雖然技術在不斷進步,但很多工藝技術人員都擁有閉塞感。因為工藝技術革新的關鍵——微細化讓人擔心。決定微細化成敗的蝕刻技術沒有找到突破口,由微細化帶來的成本優勢越來越難以確認。而在微細化以外的技術方面,2011年出現了頗受關注的話題,美國英特爾宣布三維晶體管實用化、臺積電(TSMC)宣布建設450mm晶圓生產線。這些技術正在逐漸擴大到全行業。   量產中遲遲無法
        • 關鍵字: 半導體  EUV光刻技術  
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        euv光刻技術介紹

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