- Diodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發的產品，將一個功率MOSFET與反并聯肖特基二極管集成在一個芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負載點 (PoL) 轉換器的低側MOSFET位置，有助于提升效率，同時降低大批量計算、通信及工業應用中快速開關負載點轉換器的工作溫度。
在10V 的VGS電壓下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分別僅為10m? 及8.5m?。這些器件能把通常情況下與低側MOSFET相關的導通
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Diodes DIOFET
- iodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發的產品，將一個功率MOSFET與反并聯肖特基二極管集成在一個芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負載點 (PoL) 轉換器的低側MOSFET位置，有助于提升效率，同時降低大批量計算、通信及工業應用中快速開關負載點轉換器的工作溫度。在基準測試中，DIOFET 的工作溫度與其它競爭解決方案相比低5%。MOSFET 結溫每降低10℃，DIOFET的永久可靠性便增加一倍。較低的DIOFET器件工作溫度大大提升了負載
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Diodes DIOFET DMS3014SSS DMS3015SSS
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