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        GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

        • Abstract— 一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū),InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時(shí)fT 和 fmax分別達(dá)到了 185 GHz and 220 GHz,JC =
        • 關(guān)鍵字: DHBT  技術(shù)  集成電路  晶體管  異質(zhì)  雙極  GaAsSb  

        一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

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