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Crolles2聯(lián)盟開(kāi)發(fā)的超高密度SRAM單元
- 采用45納米低成本低功率普通CMOS體效應(yīng)技術(shù) Crolles2聯(lián)盟在京都VLSI研討會(huì)上宣布的論文，為未來(lái)的低成本、低功耗、高密度消費(fèi)電路采用超小制程尺寸又添新選擇 日本京都 (2005年 VLSI 研討會(huì)) ， 2005年6月15日 – Crolles2聯(lián)盟今天宣讀一篇有關(guān)在正常制造條件下采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS體效應(yīng)技術(shù)和45納米設(shè)計(jì)規(guī)則制造面積小于0.25平方微米的六晶體管SRAM位單元的論文*，這個(gè)單元尺寸比先前的解決方案縮小了一半。 Crolles2聯(lián)盟是由飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE: F
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