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IDT推出全球首款超低功耗CMOS振蕩器

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.)，推出業(yè)界首款擁有突破性±50ppm頻率精度和超低功耗的CMOS振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器，在任何要求±50ppm時(shí)間基準(zhǔn)的廣泛應(yīng)用中，節(jié)省功耗高達(dá)75%，包括計(jì)算、通信和消費(fèi)市場(chǎng)。
關(guān)鍵字： IDT CMOS振蕩器 CrystalFree

IDT 推出全球精度最高的全硅 CMOS 振蕩器

　　致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc)宣布，推出業(yè)界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器，在整個(gè)溫度、電壓和其他因數(shù)方面實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 100ppm 總頻率誤差。　　IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專(zhuān)利的 CMOS 振蕩器技術(shù)，可以用一個(gè) 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基于石英晶體的振蕩器，并采用非常薄的外形，而無(wú)需使用任何機(jī)械頻率源或鎖相環(huán)(PLL)。
關(guān)鍵字： IDT CMOS振蕩器

IDT 推出業(yè)界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器

　　致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT? 公司(Integrated Device Technology, Inc)宣布，推出業(yè)界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器，在整個(gè)溫度、電壓和其他因數(shù)方面實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 100ppm 總頻率誤差。　　
關(guān)鍵字： IDT CMOS振蕩器

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cmos振蕩器介紹

　　CMOS振蕩器是基于CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）的一種基本的波形發(fā)生電路，在有些應(yīng)用中，CMOS振蕩器可以為那些要求嚴(yán)格的產(chǎn)品改善性能；而在另外一些應(yīng)用中，通過(guò)它們就能夠設(shè)計(jì)出全新的無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品且避免使用非半導(dǎo)體器件。　　CMOS 振蕩器電路的工作原理圖如圖所示。M1~ M5, M7, M8, R1構(gòu)成了單位增益緩沖器 ,使Vol Vref ,決定了振蕩器的充電電流基I1( I 1 = Vo [ 查看詳細(xì) ]

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