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        cmos振蕩器 文章 最新資訊

        IDT推出全球首款超低功耗CMOS振蕩器

        • 擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商IDT公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.),推出業界首款擁有突破性±50ppm頻率精度和超低功耗的CMOS振蕩器。新器件代替了傳統的石英晶體振蕩器,在任何要求±50ppm時間基準的廣泛應用中,節省功耗高達75%,包括計算、通信和消費市場。
        • 關鍵字: IDT  CMOS振蕩器  CrystalFree  

        IDT 推出全球精度最高的全硅 CMOS 振蕩器

        •   致力于豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc)宣布,推出業界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器,在整個溫度、電壓和其他因數方面實現了行業領先的 100ppm 總頻率誤差。   IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術,可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基于石英晶體的振蕩器,并采用非常薄的外形,而無需使用任何機械頻率源或鎖相環(PLL)。
        • 關鍵字: IDT  CMOS振蕩器  

        IDT 推出業界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器

        •   致力于豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT? 公司(Integrated Device Technology, Inc)宣布,推出業界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器,在整個溫度、電壓和其他因數方面實現了行業領先的 100ppm 總頻率誤差。   
        • 關鍵字: IDT   CMOS振蕩器  
        共3條 1/1 1

        cmos振蕩器介紹

          CMOS振蕩器是基于CMOS(互補金屬氧化物半導體)的一種基本的波形發生電路,在有些應用中,CMOS振蕩器可以為那些要求嚴格的產品改善性能;而在另外一些應用中,通過它們就能夠設計出全新的無線產品且避免使用非半導體器件。  CMOS 振蕩器電路的工作原理圖 如圖所示。M1~ M5, M7, M8, R1構成了單位增益緩沖器 ,使Vol Vref ,決定了振蕩器的充電電流基I1( I 1 = Vo [ 查看詳細 ]

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