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錯誤檢測與糾正電路的設(shè)計與實現(xiàn)

• 　　在一些電磁環(huán)境比較惡劣的情況下,一些大規(guī)模集成電路常常會受到干擾,導(dǎo)致不能正常工作。特別是像RAM這種利用雙穩(wěn)態(tài)進行存儲的器件,往往會在強干擾下發(fā)生翻轉(zhuǎn),使原來存儲的"0"變?yōu)?1",或者"1"變?yōu)?0",造成的后果往往是很嚴(yán)重的。例如導(dǎo)致一些控制程序跑飛,存儲的關(guān)鍵數(shù)據(jù)出錯等等。現(xiàn)在,隨著芯片集成度的增加,發(fā)生錯誤的可能性也在增大。在一些特定的應(yīng)用中,這已經(jīng)成為一個不能忽視的問題。例如在空間電子應(yīng)用領(lǐng)域,單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)就成為困擾設(shè)計師的一個難題。 　　在這種情況下,我們可以采用錯誤檢測與糾正EDA
• 關(guān)鍵字： EDAC  VHDL  74630  模擬IC