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        恩智浦推出新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)

        • ●   全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無線單元,部署5G基站更快、更輕松●   簡化設(shè)計和制造,同時保證性能 荷蘭埃因霍溫——2023年6月9日——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.,納斯達(dá)克股票代碼:NXPI)宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列,其中采用的創(chuàng)新封裝技術(shù)有助于為5G基礎(chǔ)設(shè)施打造更輕薄的無線產(chǎn)品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經(jīng)濟(jì)性,同時能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片
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        5g無線產(chǎn)品介紹

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