- _____在現代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導的退化是一個重要的與可靠性相關的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當大多數載流子到達漏極時，熱載流子（動能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產生電子—空穴對。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態密度。CHC的影響是器件參數的時間相關的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子誘導的退化（也稱為HCI或熱載流子注入）在NMOS和PMOS器件上都可以看到，并會影響所有區域的器件
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- 每個芯片上更多器件和更快時鐘速度的不斷發展，推動了幾何形狀縮小、新材料和新技術的發展。由于更脆弱、功率密度更高、器件更復雜和新的失效機制，所有這些因素都對單個器件的壽命和可靠性產生了巨大的影響，曾經壽命為100年的器件的生產工藝現在可能只有10年的壽命，這與使用這些器件的預期工作壽命非常接近。較小的誤差范圍意味著，必須從一開始就考慮器件的壽命和可靠性，從設備開發到工藝集成再到生產不斷進行監控，即使是很小的壽命變化，對今天的設備來說也可能是災難性的。每個芯片上更多器件和更快時鐘速度的不斷發展，推動了幾何形狀
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- 泰克高性能4200A-SCS 是一個模塊化、可定制、高度一體化的參數分析儀，可同時進行電流-電壓 (I-V)、電容-電壓 (C-V) 和超快脈沖 I-V 電學測試。
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