- 自鎧俠官網獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進的3D閃存技術，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業標桿。據悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構。3D堆疊層數達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產的第八代產品（BiCS FLASH? generation 8）實現了33%的NAND接口速度提升，達到4.8G
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鎧俠 3D閃存 NAND
- 在日前召開的2019中國國際智能產業博覽會上，紫光集團展出了旗下芯片及云計算等領域的最新進展，其中首次公開展出了旗下長江存儲研發的64層堆棧3D閃存，采用了Xstacking堆棧結構，核心容量也提升到了256Gb。
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紫光 3D閃存 長江存儲
- SSD的價格迎來一些新變數。 產業鏈消息，中國長江存儲將如期在今年底量產64層3D NAND閃存芯片，此舉將把國產顆粒與世界頂級品牌的技術差距縮短到兩年左右。 同時，在閃存價格不斷下探的2019年，長江存儲的入局將進一步加劇競爭態勢，使得價格爭奪更猛烈。 對于這樣的新面孔，美光執行副總裁Sumit
Sadana最近表示，他和公司密切關注中國存儲新星的動態。不過，他同時指出，無論品質還是良率，新企業還有很大的提升空間，包括滿足客戶的各種需求。 Sadana認為，位列前茅的閃存企業不會被趕出市
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長江存儲 3D閃存
- 2019年2月12日，德國康斯坦茨--今天Hyperstone宣布推出型號為X1的新型SATA III
SSD控制器。X1的設計完全滿足工業領域需求，目標產品應用包括高可靠性的SSD,
M.2及U.2模組，CFast卡和eSSD的系統封裝盤以及板載控制器和閃存芯片的閃存盤等。 基于先進的以閃存子頁轉換層為基礎的hyMap技術,X1在不需外部DRAM器件的情況下實現了出眾的隨機寫入性能，最小的寫入放大系數以及高耐久性。新推出的FlashXE
(耐久力擴展)技術具備校準、軟解碼的錯誤校正和錯
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- 近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據 PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場為中高端的智能手機。該產品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協議。
鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來越高，虛擬現實應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年
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