- 據報道，近日，美國麻省理工學院團隊利用超薄半導體材料，成功研制出一種全新的納米級3D晶體管。這是迄今已知最小的3D晶體管，其性能和功能可比肩甚至超越現有硅基晶體管，將為高性能節能電子產品的研制開辟新途徑。相關論文發表于《自然·電子學》雜志。據悉，團隊利用由銻化鎵和砷化銦組成的超薄半導體材料，研制出的這款新型3D晶體管，不僅性能與目前最先進的硅晶體管相當，還能在遠低于傳統晶體管的電壓下高效運行。此外，團隊還將量子隧穿原理引入新型晶體管架構內。在量子隧穿現象中，電子可以穿過而非翻越能量勢壘，這使得晶體管更容易
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3D納米晶體管 超薄半導體材料
3d納米晶體管介紹
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