- 英特爾和美光科技( Micron Technology)日前宣布，已開發出128Gb的NAND閃存，新元件采用了針對閃存改良的20nm工藝制程，將high-k金屬柵極(HKMG)晶體管包含在內。
兩家公司聲稱，他們開發出了全球首款獨立型128Gb存儲器，并表示將立即使用相同的制程量產20nm的64Gb NAND閃存元件，而新的128Gb元件預計2012上半年量產。
英特爾與美光并未描述20nm制程細節，而其他存儲器制造目前的制程技術也進展到20~29nm之間。過去曾有報導指出英特爾與美光采
- 關鍵字：
英特爾 20nm閃存
20nm閃存介紹
您好，目前還沒有人創建詞條20nm閃存!
歡迎您創建該詞條，闡述對20nm閃存的理解，并與今后在此搜索20nm閃存的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
