1β技術ddr5內(nèi)存 文章 進入1β技術ddr5內(nèi)存技術社區(qū)
美光推出基于1β技術的DDR5內(nèi)存,速率高達7,200MT/s
- Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已將業(yè)界領先的1β（1-beta）制程技術應用于16Gb容量版本的 DDR5內(nèi)存。美光1β DDR5 DRAM在系統(tǒng)內(nèi)的速率高達7,200 MT/s，現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及PC市場的所有客戶出貨。基于1β節(jié)點的美光DDR5內(nèi)存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術[[1]]，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達50%[[2]]，每瓦性能提升33%[[3]]。隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加以滿足數(shù)據(jù)中心工作負載需求，系統(tǒng)
- 關鍵字： 美光 1β技術DDR5內(nèi)存
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