高k介電常數(shù) 文章 最新資訊

應(yīng)用材料公司推出整合的高K介電常數(shù)

• 晶體管制造技術(shù)正迎來(lái)巨大的變化，柵極結(jié)構(gòu)上新材料和新工藝的整合運(yùn)用使芯片速度更快，功耗更低，從而使摩爾定律得以延續(xù)。近日，應(yīng)用材料公司推出了一系列已被全面驗(yàn)證的生產(chǎn)工藝，幫助我們的客戶在大規(guī)模生產(chǎn)中制造高K介電常數(shù)/金屬柵極（HK/MG）結(jié)構(gòu)。 從45納米的邏輯芯片開始，由于晶體管的尺寸太小，傳統(tǒng)的柵極材料無(wú)法使用，過(guò)多的漏電流使晶體管發(fā)熱并消耗額外的能量。HK/MG結(jié)構(gòu)可以降低柵極漏電流100多倍，并大大加快晶體管的開關(guān)速度。舉個(gè)例子來(lái)說(shuō)，如果2006年付運(yùn)的所有微處理器都采用了HK/MG技術(shù)，那么一年
• 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子  應(yīng)用材料  高K介電常數(shù)  元件  制造