- 為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲技術的需求，日立有限公司與瑞薩科技公司宣布開發出運行于1.5V電源電壓的512KB（相當于4Mb）相變存儲模塊。該器件能夠實現416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時間。利用以前開發的100μA（Micro*2安培）寫入操作電流的“低功耗相變存儲單元”，兩家公司開發了一種可以實現高速讀寫操作的外設電路技術。 日立和瑞薩科技在2007年2月11日在美國舊金山舉行的國際固態電路會議（ISSCC）上提交了有關報告。 最近幾年，微控制器已成為車載系統、家庭電子產品
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