- 集成電路的發展要求互補金屬氧化物半導體（CMOS）晶體管在持續縮減尺寸的同時提升性能，降低功耗。隨著主流CMOS集成電路縮減到亞10 nm技術節點，采用新結構或新材料對抗場效應晶體管中的短溝道效應、進一步提升器件能量利用效率變得愈加重要。在諸多新型半導體材料中，半導體碳納米管具有超高的電子和空穴遷移率、原子尺度的厚度和穩定的結構，是構建高性能CMOS器件的理想溝道材料。已公開的理論計算和實驗結果均表明，碳管CMOS晶體管采用平面結構即可縮減到5nm柵長，且較同等柵長的硅基CMOS器件具有10倍的本征性能-
- 關鍵字：
北大 高密度半導體 碳納米管
高密度半導體介紹
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