非晶態(tài)半導(dǎo)體文章進(jìn)入非晶態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

非晶態(tài)半導(dǎo)體的閾值開關(guān)機(jī)理

　　非晶態(tài)半導(dǎo)體閾值開關(guān)器件是指往復(fù)開關(guān)多次不會破壞的器件。這種器件的I-V曲線如圖1所示，當(dāng)電壓超過閾值Vei時，器件進(jìn)行開關(guān)(Switch)。但在“關(guān)態(tài)”(OFF state)與“開態(tài)”(ON state)之間無穩(wěn)定的操作點(diǎn)，電流降至維持電流In以下，器件即轉(zhuǎn)到原始狀態(tài)。 ? 　　一般觀察的結(jié)果表明，非晶半導(dǎo)體閾值開關(guān)器件受破壞的原因，多半是由于電極與半導(dǎo)體合金化，引起了大量的電子遷移，導(dǎo)致非晶態(tài)半導(dǎo)體分相或部分分相。所以多數(shù)器件失效的原因
關(guān)鍵字：非晶態(tài)半導(dǎo)體電子開關(guān)

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非晶態(tài)半導(dǎo)體介紹

　　具有半導(dǎo)體性質(zhì)的非晶態(tài)材料。非晶態(tài)半導(dǎo)體是半導(dǎo)體的一個重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人開始了對硫系玻璃的研究，當(dāng)時很少有人注意，直到1968年S.R.奧弗申斯基關(guān)于用硫系薄膜制作開關(guān)器件的專利發(fā)表以后，才引起人們對非晶態(tài)半導(dǎo)體的興趣。1975年W.E.斯皮爾等人在硅烷輝光放電分解制備的非晶硅中實(shí)現(xiàn)了摻雜效應(yīng),使控制電導(dǎo)和制造PN結(jié)成為可能,從而為非晶硅材料的應(yīng)用開辟了廣闊的前景。在理論 [ 查看詳細(xì) ]

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