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        非易失性鐵電存儲器 文章 最新資訊

        Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件

        •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣,具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓,其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V,并采用業(yè)界標準28腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、無乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗特點。FM28V020可用于工業(yè)控制、
        • 關鍵字: Ramtron  F-RAM  FM28V020  非易失性鐵電存儲器  
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        非易失性鐵電存儲器介紹

        鐵電存儲器(FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度,像工業(yè)標準的串行和并行接口,工業(yè)標準的封裝類型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。 目錄 簡介 FRAM技術 鐵電應用 1. 數(shù)據(jù)采集與記錄 [ 查看詳細 ]

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