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        非易失性存儲器應用 文章 最新資訊

        日立聯合瑞薩開發用于片上非易失性存儲器應用的1.5V低功耗、高速相變存儲模塊

        •   為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲技術的需求,日立有限公司與瑞薩科技公司宣布開發出運行于1.5V電源電壓的512KB(相當于4Mb)相變存儲模塊。該器件能夠實現416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時間。利用以前開發的100μA(Micro*2安培)寫入操作電流的“低功耗相變存儲單元”,兩家公司開發了一種可以實現高速讀寫操作的外設電路技術。   日立和瑞薩科技在2007年2月11日在美國舊金山舉行的國際固態電路會議(ISSCC)上提交了有關報告。   最近幾年,微控制器已成為車載系統、家庭電子產品
        • 關鍵字: 1.5V低功耗  單片機  非易失性存儲器應用  高速相變存儲模塊  嵌入式系統  日立  瑞薩  模塊  
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        非易失性存儲器應用介紹

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