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	非對稱可控硅
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        非對稱可控硅 文章
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        一種非對稱雙向可控硅靜電防護器件的設計*
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 非對稱雙向可控硅（ADDSCR）是在考慮了保護環(huán)結構之后，為使I-V特性曲線對稱而設計的非對稱結構，但是其維持電壓較低，容易閂鎖。為了提高傳統(tǒng)ADDSCR的維持電壓，基于0.18 μm BCD工藝，設計維持電壓高的HHVADDSCR。經(jīng)TCAD仿真，證明HHVADDSCR具有高維持電壓，避免了閂鎖，且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號端口的靜電保護。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        202107  非對稱可控硅  維持電壓  ESD  閂鎖效應                          
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	共1條
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        非對稱可控硅介紹
        
      			
        
		      	
        
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條非對稱可控硅!
         
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對非對稱可控硅的理解，并與今后在此搜索非對稱可控硅的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
        
    		
        
  		
        
  		  		  		  		  		        		  		
        
    		
        
      			
        
        			
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