- 高效率和高功率密度是為當今產品設計電源時的關鍵特性。為了實現這些目標,開發人員正在轉向氮化鎵 (GaN),這是一種可實現高開關頻率的寬帶隙半導體技術。與競爭對手的功率半導體技術相比,GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸,同時降低了柵極驅動和反向恢復損耗。此外,半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業標準封裝中,從而縮小印刷電路板 (PCB) 的占地面積要求,同時簡化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉換領域,變壓器外形無鉛 (TOLL) 封裝是電源設計的有效選擇。采用此封
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集成驅動器 高級保護 GaN 電源設計
- 消費電子和工業應用領域正呈現出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發展趨勢。而這些趨勢都需要緊湊高效的設計,同時還需采用非常規?PCB設計,此類設計面臨嚴格的空間限制,從而限制了外部元件的使用。為應對這些挑戰,英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN??Drive產品系列,進一步豐富了其氮化鎵(GaN)產品組合。該產品系列包括CoolGaN? Drive 650 V G5?單開關(集成了一個晶體管和柵極驅動器,采用PQFN 5x6和PQFN 6x8?封裝)和CoolGa
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英飛凌 CoolGaN Drive 集成驅動器 單開關 半橋
- 將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。
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氮化鎵 TI 集成驅動器
- 1引言隨著電力電子技術和電力半導體器件的飛速發展,近幾年來MOSFET和IGBT在變頻調速裝置、開關電源、...
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驅動電路 集成驅動器 隔離
- 根據永磁無刷直流電機控制系統的設計參數、成本及靈活性等各方面的要求,設計了以AVR單片機及LM621集成驅動器為核心的硬件平臺。本控制系統保護功能較完善,硬件結構簡單,成本較低,在實際工程中有一定的應用價值。
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單片機 AVR 集成驅動器 LM621 201111 BLDC
- ZD3315 集成塊的面積只有 2mmx3ram ,自帶散熱面,司借助印板銅箔散熱,可驅動四路 LED ,適合在高密度安裝的場合使用。該集成電路不需要外接電感線圈,只需外接一個電阻和一個電容就足夠了,流過 LED 的電流和 LED 的點亮可以由外部控制。附圖是其基本應用電路。
驅動電壓為 4 . 5 ~ 16V(Vin 的電壓 ) ,每一路可以驅動 1 ~ 4 個正向導通電壓為 VF=3 . 5V 的白色 LED 。如果希望每一路能驅動 5 個以上的白色 LED 的話,除了要增加電源電壓
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LED 集成驅動器
- 瑞薩科技發布符合第二階段產品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET(DrMOS)” 實現CPU穩壓器應用的業界最高效能 --與瑞薩科技當前的產品相比,在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP,可用于PC、服務器等產品的CPU穩壓器(VR)。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
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DrMOS MOSFET 單片機 電源技術 集成驅動器 模擬技術 嵌入式系統 瑞薩
集成驅動器介紹
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