- 摘要:為了減輕輻射環境中靜態隨機存儲器(SRAM)受單粒子翻轉(SEU)的影響以及解決低功耗和穩定性的問題,采用TSMC 90 nm工藝,設計了一款可應用于輻射環境中的超低功耗容錯靜態隨機存儲器。該SRAM基于雙互鎖存儲單元(
- 關鍵字:
超低功耗 容錯 隨機存
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