- NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5
A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。
NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關閉，NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數據表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
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onsemi NCP51752 隔離式 SiC MOSFET 閘極驅動器 評估板
- Diodes 公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。
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Diodes 閘極驅動器 ZXGD3006E6
- Diodes 公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器(gate driver) ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。
當輸入電流為 1mA 時，該閘極驅動器通常可提供 4A 的驅動電流，使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個發射極跟隨器配置，可防止閂鎖效應(latch-up)及貫通問題(shoot-through)，實現少于 10ns 的傳輸延遲時間。
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Diodes 閘極驅動器 XGD3006E6
閘極驅動器介紹
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