- 銀河微電12月20日在互動平臺表示,功率MOSFET器件已實現Clip Bond技術的量產;IPM模塊已完成一款封裝的量產,未來將根據市場情況逐步系列化;DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證,性能指標符合開發目標要求;CSP0603封裝已完成技術開發,未來芯片線改擴建時將進行成果轉化。
- 關鍵字:
銀河微電 MOSFET
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