- 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）今日在中國國際電源展覽會上宣布推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封裝的40V、60V和80V OptiMOS™ 3 N溝道MOSFET，在這些擊穿電壓下可提供無鉛封裝形式下的全球最低通態電阻。SuperSO8封裝與標準TO（晶體管外形）封裝相比，可使功率密度增大50%，特別是對于服務器開關模式電源的同步整流應用而言。舉例來說，這種采用SuperSO8封裝的器件可以只用20%的占位空間提供與D²-Pa
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英飛凌 OptiMOS3 通態電阻 無鉛封裝
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