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        逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管 文章 進入逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管技術社區

        550V無電壓折回逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設計

        • 逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管(RC-LIGBT)由于高電流密度、小封裝成本等優點,成為了功率器件領域內主流器件之一,然而其會受到電壓折回現象的不利影響。本文提出了一種基于絕緣體上硅技術的RCLIGBT器件,將續流二極管集成在位于埋氧層下的襯底,利用埋氧層的隔離特性實現了IGBT與續流二極管之間的電學隔離,進而實現了完全消除電壓折回現象。
        • 關鍵字: 逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管  電壓折回現象  絕緣體上硅  導通壓降  關斷損耗  202009  
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        逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管介紹

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