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超結(jié)
超結(jié) 文章 最新資訊
超結(jié)高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)電路及EMI設(shè)計(jì)
- 分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET在開關(guān)過程中由于Coss和Crss電容更強(qiáng)烈的非線性產(chǎn)生更快開關(guān)速度的特性；給出了不同外部驅(qū)動(dòng)參數(shù)對(duì)開關(guān)過程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅(qū)動(dòng)電路開關(guān)波形及開關(guān)性能的變化。最后，設(shè)計(jì)了優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路，實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的EMI結(jié)果，并給出了相應(yīng)驅(qū)動(dòng)電路的EMI測(cè)試結(jié)果。
- 關(guān)鍵字： 202106 超結(jié) 驅(qū)動(dòng) EMI 非線性 MOSFET
理解MOSFET時(shí)間相關(guān)及能量相關(guān)輸出電容Coss(tr)和Coss(er)
- Understanding time-related and energy-related output capacitances Coss(tr) and Coss(er)劉松（萬國(guó)半導(dǎo)體元件(深圳)有限公司，上海 靜安 200070）??????摘要：本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中靜態(tài)輸出電容Coss、時(shí)間相關(guān)輸出電容Coss(tr)和能量相關(guān)輸出電容Coss(er)的具體定義以及測(cè)量的方法，特別說明了在實(shí)際的不同應(yīng)用中，采用不同的輸出電
- 關(guān)鍵字： 輸出電容 死區(qū)時(shí)間 開關(guān)損耗 超結(jié) 201904
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超結(jié)介紹
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