- 在科技的快速發展中，超寬禁帶半導體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點。而在近日，沙特阿卜杜拉國王科技大學（KAUST）先進半導體實驗室一項關于超寬禁帶氧化鎵（Ga2O3）晶相異質結（Phase Heterojunction）的新研究發表在《Advanced Materials》上。論文第一作者為陸義博士。文章首次在實驗中展示了β相和κ相Ga2O3之間的清晰的、明確的、原子排列有序的、并具有II型能帶對齊的晶相異質結，為研究Ga2O3/Ga2O3晶相異質結提供了新的見解，并證明利用晶相異質結可以極
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超寬禁帶 氧化鎵 晶相異質結
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