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CMOS可靠性測試：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？

• 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷演進，對CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計算（HPC）等前沿技術(shù)的推動下，傳統(tǒng)的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測試中的應(yīng)用，以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測試的有力補充。在NBTI（負偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗中，應(yīng)力/測量循環(huán)通常采用直流信號，因其易于映射到器件模型中。然而，結(jié)
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