- 肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N-外延層（砷材
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肖特基二極管 封裝
- 英飛凌科技股份有限公司近日在應用電源電子大會暨展覽會（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業界最低的器件電容，可在高開關頻率和輕負載條件下提升整個系統的效率，從而幫助降低電源轉換系統成本。此外，英飛凌推出的第三代SiC肖特基二極管是業界種類最為齊全的碳化硅肖特基二極管系列，不僅包括TO-220封裝（真正的雙管腳版本）產品，還包括面向高功率密度表面貼裝設計的DPAK封裝產品。
SiC肖特基
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英飛凌 thinQ 肖特基二極管
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低噪聲升壓型轉換器 LT3495/-1，該器件具集成的電源開關、肖特基二極管和輸出斷接電路。LT3495 使用 650mA 開關，而 LT3495-1 使用 350mA 開關。這兩款器件都采用 2mm x 3mm DFN-10 封裝。2.3V 至 16V 的寬輸入電壓范圍使它們能夠用高達 12V 固定輸入電源軌的單節鋰離子電池工作，同時提供高達 40V 的輸出。LT3495 可用單節鋰離子電池在 16V 時提供超過 70
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凌力爾特 轉換器 電源開關 肖特基二極管
- 什么是肖特基二極管? 新聞出處：電子市場肖特基二極管
基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間特別地短。因此，能制作開關二極和低壓大電流整流二極管。
肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)
它是具有肖特基特性的“金屬半導體結”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除鎢材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料
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二極管 肖特基二極管 顯示技術
- 凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的雙路理想二極管“或”控制器LTC4355允許在高可用性系統中用N溝道MOSFET取代肖特基二極管，并具有廣泛的故障監視功能以診斷電源故障。以這種方式形成的輸入電源二極管“或”電路可降低功耗、減小熱耗散及所占用的印刷電路板面積。該器件9V至80V的寬工作電壓范圍支持具有兩個正電源的二極管“或”應用，如12V分布式總線架構，或兩個負電源的返回通路，如-48VAdvancedTCA(ATCA)應用。另外，LTC4355監視如下幾種類型的
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LTC4355 電源技術 凌力爾特 模擬技術 肖特基二極管
- ROHM開發的最新「GMD2」系列產品，采用先進的齊納二極管、肖特基勢壘二極管封裝技術，實現了當今世界上最小、最薄的封裝尺寸，對于手機和數碼相機等各種追求小型化、薄型化設計的電子產品，無疑是最佳選擇。 0603尺寸「GMD2」封裝系列的主要優點 0.6mm
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0603規格 ROHM 單片機 齊納二極管 嵌入式系統 肖特基二極管
肖特基二極管介紹
目錄
簡介
原理
優點
結構
特點
應用
其它
簡介
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導 [
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