羅姆半導(dǎo)體文章最新資訊

解讀 | 通過模擬和數(shù)字的融合解決問題

中小功率電源控制IC的新選擇~“電源控制IC”是確保各種電氣產(chǎn)品和電氣設(shè)備正常運(yùn)行的不可或缺的器件。要使應(yīng)用產(chǎn)品正常高效地運(yùn)行，電源控制IC的選擇和合理設(shè)計(jì)是非常重要的。然而，貌似有很多工程師認(rèn)為“使用哪種電源控制IC應(yīng)該不會(huì)有太大的差異吧？”所以，在本文中，將為大家介紹以為知道了但實(shí)際上并未真正了解的電源控制IC基礎(chǔ)知識(shí)，以及ROHM目前正在挑戰(zhàn)的旨在“帶來電源控制IC革命”的新電源技術(shù)。目錄1．模擬控制與數(shù)字控制2. 各自的優(yōu)缺點(diǎn)3. 模擬控制和數(shù)字控制的區(qū)分使用4. 在中小功率應(yīng)用中難道只能采用模擬
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體模擬和數(shù)字

R課堂 | 加速度傳感器的工作原理

文的關(guān)鍵要點(diǎn)?“加速度傳感器”是用來檢測(cè)單位時(shí)間內(nèi)的速度（即加速度）的傳感器。?從原理方面看，加速度傳感器是通過檢測(cè)因移動(dòng)或傾斜而引發(fā)的與彈簧連接的質(zhì)量塊的位置變化來獲得加速度的。從本文開始將為大家具體介紹傳感器相關(guān)的內(nèi)容。正如在“前言”中提到的，將從物聯(lián)網(wǎng)的角度出發(fā)展開相關(guān)介紹。我們首先來了解“加速度傳感器”。近年來，加速度傳感器被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備等眾多設(shè)備中，可以說是人們最熟悉的傳感器之一。什么是加速度傳感器“加速度”是指單位時(shí)間內(nèi)的速度，測(cè)量這種加速度的傳感器即是“加速度傳感器”。通過
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體加速度傳感器

應(yīng)用筆記 | 成功實(shí)現(xiàn)LDO穩(wěn)壓器熱設(shè)計(jì)的6大步驟

通常我們使用LDO穩(wěn)壓器IC（以下簡(jiǎn)稱LDO），可以簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)DC-DC轉(zhuǎn)換。作為電壓調(diào)節(jié)工具，LDO在輸入輸出電壓差小的時(shí)候效率非常好，但是在電壓差大的時(shí)候，由于其工作特性，會(huì)導(dǎo)致較高的功率損耗并發(fā)熱嚴(yán)重。因此，適當(dāng)?shù)臒嵩O(shè)計(jì)對(duì)于確保產(chǎn)品長(zhǎng)期可靠性工作至關(guān)重要。如果忽視熱設(shè)計(jì)，可能會(huì)因過熱而導(dǎo)致性能下降，最壞的情況下會(huì)使設(shè)備故障。一旦出現(xiàn)問題，就要重新選擇元器件、修改電路板、重新設(shè)計(jì)散熱等，對(duì)日程和成本產(chǎn)生巨大影響。羅姆提供了一些關(guān)于熱設(shè)計(jì)的應(yīng)用說明，以提高產(chǎn)品的可靠性并減少設(shè)計(jì)階段的返工。此白皮書只介紹
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體 LDO穩(wěn)壓器熱設(shè)計(jì)

R課堂 | 升壓電源負(fù)載短路時(shí)的過電流引發(fā)的問題

首先，我們來了解一下“升壓電源負(fù)載短路時(shí)的過電流引發(fā)的問題”。關(guān)于升壓電源的輸出短路引發(fā)的問題，作為示例我們?cè)谶@里探討“二極管整流方式的輸出短路”、“同步整流方式的輸出短路”、“背柵控制”、“低邊開關(guān)的限流工作”。1、二極管整流方式的輸出短路對(duì)于降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器而言，當(dāng)發(fā)生輸出過負(fù)載或短路時(shí)，大多數(shù)電源IC的限流電路會(huì)啟動(dòng)，可以防止電源IC損壞。而大多數(shù)升壓型轉(zhuǎn)換器，在流過超過額定電流的負(fù)載電流時(shí)或輸出短路時(shí)都會(huì)發(fā)生問題。當(dāng)負(fù)載電流超過額定電流時(shí)，輸出電壓將無法維持并且會(huì)開始下降。此時(shí)，低邊開關(guān)試圖
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體升壓電源負(fù)載短路

R課堂 | IGBT IPM的熱關(guān)斷保護(hù)功能（TSD）

關(guān)鍵要點(diǎn)BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關(guān)斷電路，當(dāng)LVIC的 T j 達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí)，熱關(guān)斷電路將啟動(dòng)，會(huì)關(guān)斷下橋臂各相的IGBT，并輸出FO信號(hào)。在TSD已啟動(dòng)的情況下，由于IGBT的 T j 已超過150°C的絕對(duì)最大額定值，因此需要更換IPM。該功能監(jiān)控的 T j 為L(zhǎng)VIC芯片的 T j ，無法跟上IG
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體 IGBT IPM 熱關(guān)斷保護(hù)

R課堂 | 什么是功率因數(shù)？計(jì)算和改善效率

功率因數(shù)是電源電路使用有功功率的效率指標(biāo)，用從0到1的值來表示。其值越接近1，功率因數(shù)越高，意味著功率的使用效率越好。交流電功率與功率因數(shù)密切相關(guān)，如果功率因數(shù)低，那么功率波動(dòng)和損耗就有可能增加。因此，改善功率因數(shù)有助于提高電力系統(tǒng)的效率并降低成本。本文將聚焦“功率因數(shù)”，深入探討其基本概念、實(shí)用計(jì)算方法以及提高能效的具體手法。【資料下載】活用Si(硅)功率器件特征的應(yīng)用事例更多內(nèi)容請(qǐng)前往 R課堂下載中心查看功率因數(shù)的定義功率因數(shù)是用來衡量電路效率的指標(biāo)，用有功功率與視在功率之比來表
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體

R課堂 | 為什么提高電機(jī)的電壓時(shí)，轉(zhuǎn)速會(huì)隨之上升？

本文探討的問題是 “ 為什么提高電機(jī)的電壓時(shí)，轉(zhuǎn)速會(huì)隨之上升？ ”具體而言，就是當(dāng)給電機(jī)繞組施加的電壓升高（增大）時(shí)，為什么其轉(zhuǎn)速會(huì)隨之上升。這一現(xiàn)象看似理所當(dāng)然，但其背后的原理卻涉及諸多物理公式。這個(gè)問題對(duì)于深入了解電機(jī)原理非常關(guān)鍵，下面將為大家詳細(xì)闡述。問題的內(nèi)容本次的問題源于類似下面的經(jīng)歷。這是在使用市售的小型電機(jī)時(shí)產(chǎn)生的疑問。當(dāng)時(shí)使用的是那種只需連接電池就能轉(zhuǎn)動(dòng)的電機(jī)，即所謂的有刷電機(jī)。為探尋如何能提高轉(zhuǎn)速，經(jīng)過一番調(diào)查后得知，有一種方法是將電池進(jìn)行串聯(lián)。于是采用兩節(jié)電池串聯(lián)的
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體電機(jī)

R課堂 | 家用電器開發(fā)中微控制器的選型要點(diǎn)

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)1. 越來越多的家用電器使用語音播放作為用戶界面。2. 對(duì)于耗電量大的設(shè)備，需要考慮引入低功耗的控制方式和高效的供電系統(tǒng)。對(duì)于電池供電系統(tǒng)，可以利用微控制器的待機(jī)模式節(jié)省電力。3. 盡量減少微控制器的外置元器件數(shù)量，可以降低材料成本和制造成本。4. 評(píng)估開發(fā)環(huán)境時(shí)，不僅要看集成開發(fā)環(huán)境和評(píng)估板，還要確認(rèn)是否有易于使用的實(shí)用工具。ROHM提供融入自有低功耗技術(shù)優(yōu)勢(shì)的豐富的低功耗微控制器產(chǎn)品。通過供應(yīng)微控制器產(chǎn)品，為從事電池供電的小型設(shè)備、家用電器、工業(yè)設(shè)備、社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施、車載設(shè)備等各種系統(tǒng)開發(fā)
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體

R課堂 | 線性穩(wěn)壓器IC的軟啟動(dòng)

線性穩(wěn)壓器IC的軟啟動(dòng)在輸入電源導(dǎo)通（啟動(dòng)）時(shí)，通過在一定時(shí)間內(nèi)逐步提升輸出電壓，可以抑制為輸出電容器充電時(shí)流過的浪涌電流的最大值，這就是采用軟啟動(dòng)的主要目的。BDxxIC0系列的軟啟動(dòng)上升時(shí)間在IC內(nèi)部固定為800μs（typ.），無法從外部調(diào)整上升時(shí)間。如下圖所示，軟啟動(dòng)時(shí)間T SS 的定義是：以EN從Low轉(zhuǎn)為High的導(dǎo)通時(shí)刻為起點(diǎn)，直至輸出電壓達(dá)到規(guī)定值的95%所需的時(shí)間。軟啟動(dòng)時(shí)間偏差參考值為最小400μs、標(biāo)準(zhǔn)800μs、最大1200μs。軟啟動(dòng)時(shí)間與輸出電壓
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體線性穩(wěn)壓器IC 軟啟動(dòng)

R課堂 | IGBT IPM的錯(cuò)誤輸出功能（FO）

關(guān)鍵要點(diǎn)?FO引腳為錯(cuò)誤輸出功能引腳，用于向外部通知內(nèi)置保護(hù)功能的啟動(dòng)情況，并會(huì)為自我保護(hù)而關(guān)斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號(hào)輸出時(shí)間因已啟動(dòng)的保護(hù)功能類型而異，因此可以判別已啟動(dòng)了哪種保護(hù)功能。這是本機(jī)型產(chǎn)品所具備的功能。?FO引腳的輸入功能，通過在FO引腳上連接RC并調(diào)整時(shí)間常數(shù)，可以擴(kuò)展下橋臂各相IGBT的關(guān)斷時(shí)間。?當(dāng)FO輸出經(jīng)由隔離器件輸入至MCU時(shí)，在輸出時(shí)間隔離器件的傳輸延遲時(shí)間比FO輸出的L電平最短時(shí)間要長(zhǎng)時(shí)，需要根據(jù)延遲情況來擴(kuò)展FO輸出時(shí)間時(shí)，可使用該功能。本文將介紹“保護(hù)
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體 IGBT

低邊開關(guān)的最大電流和可輸出的最大輸出電流

本文關(guān)鍵要點(diǎn)升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器的最大輸出電流不僅僅取決于低邊開關(guān)的電流容量。升壓比、轉(zhuǎn)換效率和電感紋波電流等因素會(huì)導(dǎo)致最大輸出電流大大低于低邊開關(guān)的電流容量。在選擇升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器時(shí)，需要根據(jù)所需的輸出電流和升壓比等使用條件來求出低邊開關(guān)所需的開關(guān)電流值，然后再選擇產(chǎn)品。低邊開關(guān)不僅“輸入電流值”這個(gè)參數(shù)很重要，還需要具備支持流過電感紋波電流引起的電流波動(dòng)峰值的能力。目錄低邊開關(guān)的最大電流和可輸出的最大輸出電流低邊開關(guān)所需的最小開關(guān)電流容量探討首先來了解“低邊開關(guān)的最大電流和可輸出的最大輸出電流
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體低邊開關(guān)

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效問題。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位時(shí)間內(nèi)的電壓變化量，VDS的上升坡度
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體 dv dt

什么是雪崩失效

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這種電子-空穴對(duì)呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動(dòng)的電流稱為“雪崩電流IAS”，參見下圖（1）。MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)? 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。? 發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，會(huì)流過大電流，存在MOSFET
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體雪崩失效

測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測(cè)量方法

SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(zhǎng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測(cè)量，在開關(guān)速度較快時(shí)
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體，MOSFET

打造新一代智能電表/感知層的解決方案

　　姚玲玲?（羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司?技術(shù)中心?助理經(jīng)理）　　1 智能電表的發(fā)展機(jī)會(huì)　　在智能物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用中，羅姆（ROHM）目前主要著力點(diǎn)仍然在感知層。通過不斷優(yōu)化終端的數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)預(yù)處理，減輕邊緣計(jì)算負(fù)擔(dān)；提供無線傳輸方案，實(shí)現(xiàn)快速、安全的數(shù)據(jù)傳輸。　　智能電網(wǎng)在建成“堅(jiān)強(qiáng)智能電網(wǎng)”的基礎(chǔ)上，正在與“泛電力物聯(lián)網(wǎng)”相融合，以建設(shè)“能源互聯(lián)網(wǎng)”。作為感知層的智能電表，將會(huì)承擔(dān)“智慧網(wǎng)關(guān)”的角色。新一代智能電表引入操作系統(tǒng)、可插拔模組化設(shè)計(jì)理念，將主芯片分為管理芯和計(jì)量芯，新增了負(fù)荷識(shí)別模塊，并可根
關(guān)鍵字： 202004 羅姆半導(dǎo)體 ROHM 智能電表

共21條 1/2 1 2 »

羅姆半導(dǎo)體介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條羅姆半導(dǎo)體!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)羅姆半導(dǎo)體的理解，并與今后在此搜索羅姆半導(dǎo)體的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

羅姆半導(dǎo)體 文章 最新資訊

羅姆半導(dǎo)體介紹

熱門主題

羅姆半導(dǎo)體文章最新資訊