中小功率電源控制IC的新選擇~“電源控制IC”是確保各種電氣產品和電氣設備正常運行的不可或缺的器件。要使應用產品正常高效地運行，電源控制IC的選擇和合理設計是非常重要的。然而，貌似有很多工程師認為“使用哪種電源控制IC應該不會有太大的差異吧？”所以，在本文中，將為大家介紹以為知道了但實際上并未真正了解的電源控制IC基礎知識，以及ROHM目前正在挑戰的旨在“帶來電源控制IC革命”的新電源技術。目錄1．模擬控制與數字控制2. 各自的優缺點3. 模擬控制和數字控制的區分使用4. 在中小功率應用中難道只能采用模擬
關鍵字：
羅姆半導體 模擬和數字
文的關鍵要點?“加速度傳感器”是用來檢測單位時間內的速度（即加速度）的傳感器。?從原理方面看，加速度傳感器是通過檢測因移動或傾斜而引發的與彈簧連接的質量塊的位置變化來獲得加速度的。從本文開始將為大家具體介紹傳感器相關的內容。正如在“前言”中提到的，將從物聯網的角度出發展開相關介紹。我們首先來了解“加速度傳感器”。近年來，加速度傳感器被廣泛應用于智能手機和可穿戴設備等眾多設備中，可以說是人們最熟悉的傳感器之一。什么是加速度傳感器“加速度”是指單位時間內的速度，測量這種加速度的傳感器即是“加速度傳感器”。通過
關鍵字：
羅姆半導體 加速度傳感器
通常我們使用LDO穩壓器IC（以下簡稱LDO），可以簡單地實現DC-DC轉換。作為電壓調節工具，LDO在輸入輸出電壓差小的時候效率非常好，但是在電壓差大的時候，由于其工作特性，會導致較高的功率損耗并發熱嚴重。因此，適當的熱設計對于確保產品長期可靠性工作至關重要。如果忽視熱設計，可能會因過熱而導致性能下降，最壞的情況下會使設備故障。一旦出現問題，就要重新選擇元器件、修改電路板、重新設計散熱等，對日程和成本產生巨大影響。羅姆提供了一些關于熱設計的應用說明，以提高產品的可靠性并減少設計階段的返工。此白皮書只介紹
關鍵字：
羅姆半導體 LDO穩壓器熱設計
首先，我們來了解一下“升壓電源負載短路時的過電流引發的問題”。關于升壓電源的輸出短路引發的問題，作為示例我們在這里探討“二極管整流方式的輸出短路”、“同步整流方式的輸出短路”、“背柵控制”、“低邊開關的限流工作”。1、二極管整流方式的輸出短路對于降壓型DC-DC轉換器而言，當發生輸出過負載或短路時，大多數電源IC的限流電路會啟動，可以防止電源IC損壞。而大多數升壓型轉換器，在流過超過額定電流的負載電流時或輸出短路時都會發生問題。當負載電流超過額定電流時，輸出電壓將無法維持并且會開始下降。此時，低邊開關試圖
關鍵字：
羅姆半導體 升壓電源 負載短路
關鍵要點BM6337xS系列 配備了可監控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關斷電路，當LVIC的 T j 達到規定溫度以上時，熱關斷電路將啟動，會關斷下橋臂各相的IGBT，并輸出FO信號。在TSD已啟動的情況下，由于IGBT的 T j 已超過150°C的絕對最大額定值，因此需要更換IPM。該功能監控的 T j 為LVIC芯片的 T j ，無法跟上IG
關鍵字：
羅姆半導體 IGBT IPM 熱關斷保護
功率因數是電源電路使用有功功率的效率指標，用從0到1的值來表示。其值越接近1，功率因數越高，意味著功率的使用效率越好。交流電功率與功率因數密切相關，如果功率因數低，那么功率波動和損耗就有可能增加。因此，改善功率因數有助于提高電力系統的效率并降低成本。本文將聚焦“功率因數”，深入探討其基本概念、實用計算方法以及提高能效的具體手法。【資料下載】活用Si(硅)功率器件特征的應用事例更多內容請前往 R課堂下載中心 查看功率因數的定義功率因數是用來衡量電路效率的指標，用有功功率與視在功率之比來表
關鍵字：
羅姆半導體
本文探討的問題是 “ 為什么提高電機的電壓時，轉速會隨之上升？ ”具體而言，就是當給電機繞組施加的電壓升高（增大）時，為什么其轉速會隨之上升。這一現象看似理所當然，但其背后的原理卻涉及諸多物理公式。這個問題對于深入了解電機原理非常關鍵，下面將為大家詳細闡述。問題的內容本次的問題源于類似下面的經歷。這是在使用市售的小型電機時產生的疑問。當時使用的是那種只需連接電池就能轉動的電機，即所謂的有刷電機。為探尋如何能提高轉速，經過一番調查后得知，有一種方法是將電池進行串聯。于是采用兩節電池串聯的
關鍵字：
羅姆半導體 電機
本文的關鍵要點1. 越來越多的家用電器使用語音播放作為用戶界面。2. 對于耗電量大的設備，需要考慮引入低功耗的控制方式和高效的供電系統。對于電池供電系統，可以利用微控制器的待機模式節省電力。3. 盡量減少微控制器的外置元器件數量，可以降低材料成本和制造成本。4. 評估開發環境時，不僅要看集成開發環境和評估板，還要確認是否有易于使用的實用工具。ROHM提供融入自有低功耗技術優勢的豐富的低功耗微控制器產品。通過供應微控制器產品，為從事電池供電的小型設備、家用電器、工業設備、社會基礎設施、車載設備等各種系統開發
關鍵字：
羅姆半導體
線性穩壓器IC的軟啟動在輸入電源導通（啟動）時，通過在一定時間內逐步提升輸出電壓，可以抑制為輸出電容器充電時流過的浪涌電流的最大值，這就是采用軟啟動的主要目的。BDxxIC0系列 的軟啟動上升時間在IC內部固定為800μs（typ.），無法從外部調整上升時間。如下圖所示，軟啟動時間T SS 的定義是：以EN從Low轉為High的導通時刻為起點，直至輸出電壓達到規定值的95%所需的時間。軟啟動時間偏差參考值為最小400μs、標準800μs、最大1200μs。軟啟動時間與輸出電壓
關鍵字：
羅姆半導體 線性穩壓器IC 軟啟動
關鍵要點?FO引腳為錯誤輸出功能引腳，用于向外部通知內置保護功能的啟動情況，并會為自我保護而關斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號輸出時間因已啟動的保護功能類型而異，因此可以判別已啟動了哪種保護功能。這是本機型產品所具備的功能。?FO引腳的輸入功能，通過在FO引腳上連接RC并調整時間常數，可以擴展下橋臂各相IGBT的關斷時間。?當FO輸出經由隔離器件輸入至MCU時，在輸出時間隔離器件的傳輸延遲時間比FO輸出的L電平最短時間要長時，需要根據延遲情況來擴展FO輸出時間時，可使用該功能。本文將介紹“保護
關鍵字：
羅姆半導體 IGBT
本文關鍵要點升壓型DC-DC轉換器的最大輸出電流不僅僅取決于低邊開關的電流容量。升壓比、轉換效率和電感紋波電流等因素會導致最大輸出電流大大低于低邊開關的電流容量。在選擇升壓型DC-DC轉換器時，需要根據所需的輸出電流和升壓比等使用條件來求出低邊開關所需的開關電流值，然后再選擇產品。低邊開關不僅“輸入電流值”這個參數很重要，還需要具備支持流過電感紋波電流引起的電流波動峰值的能力。目錄低邊開關的最大電流和可輸出的最大輸出電流低邊開關所需的最小開關電流容量探討首先來了解“低邊開關的最大電流和可輸出的最大輸出電流
關鍵字：
羅姆半導體 低邊開關
如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發射極之間產生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發生失效問題。本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。?dV/dt是單位時間內的電壓變化量，VDS的上升坡度
關鍵字：
羅姆半導體 dv dt
當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發生擊穿。當施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導致碰撞電離，從而產生電子-空穴對。這種電子-空穴對呈雪崩式增加的現象稱為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內部二極管電流呈反方向流動的電流稱為“雪崩電流IAS”，參見下圖（1）。MOSFET的失效機理本文的關鍵要點? 當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，會造成擊穿并引發雪崩擊穿。? 發生雪崩擊穿時，會流過大電流，存在MOSFET
關鍵字：
羅姆半導體 雪崩失效
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時
關鍵字：
羅姆半導體，MOSFET
姚玲玲?（羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?助理經理） 1 智能電表的發展機會 在智能物聯網的應用中，羅姆（ROHM）目前主要著力點仍然在感知層。通過不斷優化終端的數據采集和數據預處理，減輕邊緣計算負擔；提供無線傳輸方案，實現快速、安全的數據傳輸。 智能電網在建成“堅強智能電網”的基礎上，正在與“泛電力物聯網”相融合，以建設“能源互聯網”。作為感知層的智能電表，將會承擔“智慧網關”的角色。新一代智能電表引入操作系統、可插拔模組化設計理念，將主芯片分為管理芯和計量芯，新增了負荷識別模塊，并可根
關鍵字：
202004 羅姆半導體 ROHM 智能電表
羅姆半導體介紹
您好，目前還沒有人創建詞條羅姆半導體!
歡迎您創建該詞條，闡述對羅姆半導體的理解，并與今后在此搜索羅姆半導體的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473