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功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

• / 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關(guān)標準和工程測量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)？在功率器件的熱設計基礎系列文章 《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》 和 《功率半導體芯片溫度和測試方法》 分別講了功率半導體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的
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