- 美國弗吉尼亞理工學院、州立大學和NexGen電力系統公司首次對垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動態電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩定性進行了實驗表征。研究人員研究了額定電壓高達1200V（1.2kV）的NexGen結型場效應晶體管（JFET）器件。動態?RON描述了開關晶體管的電阻相對于穩定直流狀態下的電阻的增加。該團隊評論道：“這個問題可能會導致器件的導通損耗增加，并縮短器件在應用中的壽命。”研究人員將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級GaN JFET（
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氮化鎵 結型場效應晶體管
結型場效應晶體管介紹
結型場效應晶體管 利用場效應原理工作的晶體管，簡稱FET。場效應就是改變外加垂直于半導體表面上電場的方向或大小，以控制半導體導電層（溝道）中的多數載流子的密度或類型。這種晶體管的工作原理與雙極型晶體管不同，它是由電壓調制溝道中的電流，其工作電流是由半導體中的多數載流子輸運，少數載流子實際上沒有作用。這類只有一種極性載流子參加導電的晶體管又稱單極晶體管。 1925～1926年美國的J.E.里林 [
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