- 鴻海持續布局先進技術，卡位電動車、衛星通訊等前瞻應用商機，15日宣布旗下鴻海研究院半導體所與陽明交通大學、德州大學奧斯汀分校進行跨國合作，投入第四代半導體的研究，近日已在衛星通訊及高功率元件領域取得顯著突破; 研究成果已發表在國際頂級期刊《Applied Surface Science Advances》及《ACS Applied Electronic Materials》，第四代半導體可應用于電動車與快充技術、高壓電力設備、太空與航天科技。第四代半導體指的是超寬能隙（UWBG）半導體材料，如鉆石、AlN
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鴻海 第四代半導體
- 新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導體發展風生水起。與此同時，第四代半導體也在蓄勢待發，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料。鴻海入局氧化鎵近期媒體報道，鴻海研究院半導體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團隊在第四代半導體的關鍵技術上取得重大突破，提高了氧化鎵在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能。本次研究利用磷離子布植和快速熱退火技術實現了第四代半導體P型氧化鎵的制造，并在其上重新生長N型和 N+型Ga2O3，形成了PN Ga2O3 二極體，結果展
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第四代半導體 氧化鎵
- 近日，廈門大學電子科學與技術學院楊偉鋒教授團隊在第四代半導體氧化鎵（β-Ga2O3）外延生長技術和日盲光電探測器制備方面取得重要進展，為β-Ga2O3異質外延薄膜的大面積生長和高性能的器件應用提供了重要支持。β-Ga2O3材料因其本征日盲光吸收(254 nm)，簡單二元組成，帶隙可調，制備工藝簡單等優勢在日盲光電探測器領域受到廣泛關注。在β-Ga2O3薄膜生長方面，研究團隊利用分子束外延技術（MBE）實現了高質量、低缺陷密度的外延薄膜生長。并通過改變反應物前驅體和精密控制生長參數，成功實現了β-Ga2O3
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第四代半導體 氧化鎵 科研
第四代半導體介紹
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